基于氧化镓日盲紫外光电探测器的研究进展

• 作者: 王江 罗林保
• 来源期刊: 中国激光
• 关键词: 光电探测器 氧化镓 超宽禁带半导体 日盲紫外 光响应
• 年，卷（期）: 2021,（11）
• 所属期刊栏目: 综述|Reviews
• 页码范围: 1-31
• 页数: 31页
• 分类号: TN23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202148.1100001

摘要

日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用领域.氧化镓(Ga2O3)是一种典型的超宽禁带半导体材料,其较大的禁带宽度(4.2～5.3 eV)几乎占据太阳光谱的整个日盲波段,被认为是制备日盲紫外探测器的理想材料.主要介绍了 Ga2O3的不同晶体结构和基本特性,并综述了基于多种Ga2O3结构的日盲紫外探测器的研究进展.基于Ga2O3纳米线的器件的最大光响应度R＞103 A/W,外量子效率能达到105％;Ga2O3单晶器件的光响应度高达103～105 A/W,外量子效率超过106％,响应速度较快(μs级).Ga2O3基异质结、p-n结和肖特基结的日盲探测器表现出的自驱动特性使其在无需外加电源条件下就能正常工作,这在特殊环境下具有较大的应用潜力.