基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究

• 作者: 李官军 卢乙 殷实 余豪杰 李先允 殷帆
• 来源期刊: 电气传动
• 关键词: 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 短路特性 源极电感检测法 短路保护
• 年，卷（期）: 2021,（15）
• 所属期刊栏目: 变流·滤波技术
• 页码范围: 16-19,24
• 页数: 5页
• 分类号: TM13
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd21403

摘要

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiC MOSFET的短路耐受时间较小,仅为2～5μs,这对SiC MOSFET的短路保护电路提出了更高的要求.首先总结分析SiC MOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiC MOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证.实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiC MOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行.