纳秒级上升沿100kV方波发生装置研制

• 作者: 谢施君 穆舟 丁卫东 王嘉琛 苏芳菲 刘勇
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 方波发生装置 VFTO 纳秒级上升沿 波尾时间 重复性
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 高压电磁效应及其特性|High Voltage Electromagnetic Effects and Their Characteristics
• 页码范围: 2169-2176
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20201176

摘要

为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage,VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100kV的方波发生装置.首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了输出电压波形上升时间、波尾时间的估计式;仿真分析了脉冲电容器电容值、负载电阻、回路总电阻、回路电感对输出波形的影响;设计、研制了结构紧凑的100 kV方波发生装置,并测试了其输出性能.测试结果表明,其输出电压的上升时间＜5 ns,在波尾1 μs时的平顶降＜1％,且重复性良好,可用于VFTO传感器的标定.