磁控式并联电抗器容量调节暂态过程及其对匝间保护的影响

• 作者: 郑涛 刘校销
• 来源期刊: 电工技术学报
• 关键词: 磁控式并联电抗器 容量调节 磁饱和度 控制绕组电流 匝间保护
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 电力系统与综合能源
• 页码范围: 1052-1063
• 页数: 12页
• 分类号: TM474
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.200008

摘要

磁控式并联电抗器(MCSR)可实现无功功率的大范围平滑调节,但现有研究中MCSR容量调节暂态特性及其对保护的影响尚不清晰.因此,该文对MCSR容量调节过程展开研究,首先分析了磁控式并联电抗器的稳态运行特性,引入磁饱和度概念,在此基础上,对其容量调节暂态过程特性展开讨论.调容暂态过程中,由于心柱间磁饱和度的差异,三相控制绕组电流及控制绕组总电流的基波分量将会增加,导致基于控制绕组总电流基波分量的匝间保护误动.为解决该问题,根据MCSR调容过程中三相控制绕组电流基波分量平均值近似相等的特点,利用三相控制绕组电流基波分量差异度,可以准确识别出容量调节过程,从而有效解决了MCSR容量调节过程中匝间保护误动的问题.基于Matlab/Simulink的仿真及1.5kVMCSR样品的动模实验,验证了所提方案的正确性.