第三代半导体辐射探测器研究进展

• 作者: 梁红伟 廖传武 夏晓川 龙泽 耿昕蕾 牛梦臣 韩中元
• 来源期刊: 科技导报
• 关键词: 第三代半导体 辐射探测器 耐高温 耐辐照 宽禁带半导体
• 年，卷（期）: 2021,（14）
• 所属期刊栏目: 专题:第三代半导体的创新发展|Exclusive:Innovation and development of the third generation semiconductor
• 页码范围: 69-82
• 页数: 14页
• 语种: 中文

摘要

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能,耐高温、耐辐照能力,在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测等领域具有重要的应用潜力.介绍了第三代半导体的相关性质、辐射探测器主要制备方法以及不同类型辐射探测器的研究进展,展望了第三代半导体在辐射探测方面的发展趋势.提出第三代半导体辐射探测器的出现必然会促进核科学、空间探测、粒子及高能物理等方面的研究,对于国家提升核心竞争力具有重要的推动作用.