非极性a面GaN材料外延的成核过程及选区生长分析

• 作者: 杨琳
• 来源期刊: 冶金与材料
• 关键词: 非极性GaN r面蓝宝石 成核过程 各向异性
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 43-44
• 页数: 2页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-5183.2021.03.021

摘要

为解决以往侧向外延生长、侧壁横向外延生长等方法存在的缺陷问题,文章借鉴前人研究成果提出一种选用钛图形化r面蓝宝石衬底直接外延GaN的生长方法,先在衬底表面制备一层钛掩膜,再在孔洞内选择性外延GaN,由此改善GaN表面与晶体的质量,降低各向异性,并且成功制备出高质量、平整的a面GaN薄膜.通过观察SEM、RSMs与Raman测试结果可知,该方法能够有效减小合并厚度、降低工艺成本,具备良好适用价值.