GSC结构相控阵在主瓣干扰下的自适应单脉冲方法

• 作者: 陈子昂 杨嘉伟 陶琛琛
• 来源期刊: 系统工程与电子技术
• 关键词: 相控阵 主瓣干扰 广义旁瓣对消器 自适应单脉冲
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 传感器与信号处理|Sensor and Signal Processing
• 页码范围: 2137-2145
• 页数: 9页
• 分类号: TN957.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.12305/j.issn.1001-506X.2021.08.15

摘要

当有源干扰从旁瓣进入广义旁瓣对消器(general sidelobe canceller.GSC)结构相控阵系统时,通过对旁瓣干扰的抑制,可以维持较高的单脉冲测角精度,然而当干扰进入主瓣范围内时,自适应方向图会发生畸变,导致测角错误.针对这一问题,提出了一种在GSC结构下的两级自适应单脉冲测角的工程实现方法,首先对采样协方差矩阵进行特征分解并根据主瓣子空间的正交性分离主瓣干扰对应的特征向量,由此重构旁瓣干扰和噪声协方差矩阵,再利用旁瓣对消器抑制旁瓣干扰,最后通过四通道系统抑制主瓣干扰并保持单脉冲比不变,实现对目标的精确测角.该方法无需对干扰的来波方向进行预估计,具有较强的鲁棒性,仿真结果验证了该方法的有效性.