一种快速预测有损腔体屏蔽效能和谐振模式的解析模型

• 作者: 公延飞 陈星彤 高超飞 孙剑
• 来源期刊: 电工技术学报
• 关键词: 有损腔体 屏蔽效能 抑制效应 电磁拓扑理论 广义BLT方程
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 电工理论
• 页码范围: 1569-1578
• 页数: 10页
• 分类号: TM15|TM25
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201185

摘要

该文提出一种分析平面波照射下有损腔体屏蔽问题的解析模型,该模型不仅可以快速预测有损腔体偏心开孔和任意位置目标点时的屏蔽效能,而且还可以准确分析损耗导电材料对较高频率处高阶谐振模式的抑制效应.首先根据电磁拓扑理论和电路理论,构建有损屏蔽腔体的等效电路以及信号流图;其次通过信号流图建立广义BLT方程,并利用该方程计算目标点所在横截面的最大电压响应;最后根据电压和电场分布的关系,得到目标点处的总电场分量.该模型能够方便地处理单孔、孔阵及双面开孔有损腔体的情况,并通过全波仿真软件CST验证了其有效性和准确性,为分析有损腔体的屏蔽问题提供一种可靠高效的计算方法.