IGBT结构及发展趋势

• 作者: 张为国 张俊 唐世弋
• 来源期刊: 电子元器件与信息技术
• 关键词: IGBT 电力电子器件 减薄片 碳化硅 集成技术
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 电子元器件与材料
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 分类号: TN403
• 语种: 中文
• DOI: 10.19772/j.cnki.2096-4455.2021.4.036

摘要

绝缘栅双极晶体管IGBT作为新型电力电子器件技术里最先进的产品之一,被称为电力电子行业内的"CPU".本文阐述了IGBT器件结构的发展变化,包括IGBT结构上的发展历史及其产品特点,系统概述了基于目前常规的IGBT进行工艺改进产生新的器件结构,重点介绍并讨论了制备这些新器件所采用的技术措施以及这些新结构的优缺点,最后介绍了IGBT未来发展的趋势及给国产装备带来的机会与挑战.