原子层沉积技术的应用现状及发展前景

• 作者: 廖荣 康唐飞 邓世杰 吴海洋 王敬云
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 关键词: 原子层沉积 纳米结构 半导体 介电层 芯片
• 年，卷（期）: 2021,（10）
• 所属期刊栏目: 综述与评论|Survey & Review
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN311|TP212
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2021)10-0005-05

摘要

介绍了原子层沉积(ALD)技术的应用现状及发展前景,包括ALD原理、ALD技术的主要优势、ALD在各方面的应用,如半导体及纳米电子学应用、光电材料及器件、微机电系统(MEMS)、纳米结构及其它应用.ALD工艺所需温度比其他化学气相沉积方法远远降低,温度约为300℃.ALD对薄膜的均匀性有更好的控制,由于原子层技术的独特性,使其在半导体等行业的发展前景十分可观.