晶化温度与砷压对Ga在GaAs(001)表面扩散限制的研究

• 作者: 王一 丁召 杨晨 罗子江 王继红 李军丽 郭祥
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ga液滴 液滴外延 量子环 分子束外延
• 年，卷（期）: 2021,（11）
• 所属期刊栏目: 热点·关注|Focuses & Concerns
• 页码范围: 11017-11022
• 页数: 6页
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2021.11.003

摘要

采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴晶化过程中,液滴内Ga原子存在向外迁移和向下刻蚀两种扩散行为,且扩散行为均受到衬底温度和As压力大小的影响.其中As压主要影响Ga原子在表面横向扩散,而衬底温度主要影响Ga原子在纵向刻蚀扩散.根据量子环结构形貌演变趋势分析了圆盘半径ΔR、Rp与沉积量的关系,得出形成扩散盘的Ga临界沉积量为10 mL,并总结出采用降温结晶方式制备GaAs同心量子环的工艺方法.