SiC MOSFET高温可靠性评估失效机理研究

• 作者: 李寿全 张宇隆 黄以明 郑广州
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化物半导体场效应晶体管 碳化硅 失效机理
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件和电力电子系统的可靠性|Reliability of Power Electronic Devices and Power Electronic Systems
• 页码范围: 6-8
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.12.002

摘要

碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、导通电阻低等特性,但现有的封装材料、工艺在一定程度上限制了SiC MOSFET器件充分发挥其高温特性的优势.以国际主流厂商的SiC MOSFET器件为对象,进行极限高温可靠性评估.对试验后失效器件进行失效机理分析,提出导致器件失效的主要原因并非通常认为的源极键合丝接触电阻增大所致,而是由于栅极键合丝接触电阻增大导致器件沟道电阻变大,进而导致上述失效.该试验为后续相关工艺的改进提供了参考依据,有利于更好地发挥SiC MOSFET的优势.