高升压比Boost电路的研究与设计

• 作者: 张波 丁玥 郭静媛 赵智轩
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: 升压比 Boost电路 自耦变压器 SiC器件
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 研制开发|Manufacture & Development
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2021.01.005

摘要

Boost电路广泛应用于用供电电压低于需求直流电的场合下,但传统的Boost电路实际应用中很难实现较高的升压比.采用高频自耦变压器替代传统Boost电路中的电感,利用变压器助力实现Boost电路的高升压比.为尽一步提高效率,减少电路的体积重量,在电压较高的场合用SiC器件替代传统的Si器件.实验结果表明,设计的Boost电路升压比可达30倍以上,采用SiC器件后效率可提升1.5％以上.