电子传输层结构对有机发光二极管性能的影响

• 作者: 吕昭月 谢海芬
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 关键词: 氟化锂 N型掺杂效应 绝缘效应 电子传输
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 实验技术|Experimental Technique
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN383+.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.19927/j.cnki.syyt.2021.08.009

摘要

通过真空蒸镀制备ITO(氧化铟锡)/NPB(N,N′-二(萘-2-基)-N,N′-二(苯基)联苯-4,4′-二胺)/Alq3(8-羟基喹啉铝)/LiF/Alq3/Al(铝)的多层常规有机发光二极管(Organic Llight-Emitting Diode,OLED)器件,并采用2-(4-叔丁基苯)-5-(4联苯基)-1,3,4-噁唑(PBD)取代Alq3作电子传输层,研究了不同厚度LiF在电子传输层中影响器件光电性能的物理机理.结果表明,PBD具有高于Alq3的电子迁移率,有助改善器件的电子传输,并发现LiF在电子传输层中具有双重效应:N型掺杂效应和绝缘效应.较薄的LiF表现为N型掺杂效应,提升了电子传输性能,改善OLED性能.厚度超过1.0 nm时,LiF表现为绝缘效应,器件的驱动电压会升高.PBD厚度为15 nm、LiF厚度1.0 nm时,器件的发光亮度和效率最优.