Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器性能的影响

• 作者: 沈文 吴九九 高云 冀慎统 陈德良 余宏
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 关键词: Silvaco TCAD Mg2Si/Si异质结 光电探测器
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论坛
• 页码范围: 197-199
• 页数: 3页
• 分类号: TN302
• 语种: 中文
• DOI: 10.19695/j.cnki.cn12-1369.2021.03.63

摘要

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg2Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压、正向导通电压、响应度、噪声等效功率等性能的影响.仿真计算结果表明:Mg2Si浓度不影响Mg2Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压和正向导通电压;不同Mg2Si浓度Mg2Si/Si异质结光电探测器的响应度随入射光波长的增加而先增加后减小;随着Mg2Si浓度的增加,Mg2Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率依次减小;入射光波长为685nm时,不同Mg2Si浓度的Mg2Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率均达到最小值.