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摘要:
MgO基磁性隧道结是自旋电子器件研究的热点问题,其温度特性和偏压特性在实际应用中极其重要.因此,亟需在理论上计算得到MgO基磁性隧道结的温度-偏压相图.本文构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论.该理论将单晶势垒层视作周期性光栅,利用光学衍射理论处理势垒层对隧穿电子的衍射,因此可以很好地计入隧穿电子波的相干性.根据此理论,同时计入温度和偏压的影响计算了MgO基磁性隧道结的温度-偏压相图.理论结果表明,通过调节MgO基磁性隧道结的铁磁电极半交换劈裂能D、化学势μ以及势垒层周期势v(Kh)可以优化其温度特性和偏压特性.该结果为MgO基磁性隧道结的应用提供了坚实的理论基础.
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文献信息
篇名 MgO基磁性隧道结温度-偏压相图的理论研究
来源期刊 物理学报 学科
关键词 磁性隧道结 隧穿磁阻效应 温度效应 偏压效应
年,卷(期) 2021,(10) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
研究方向 页码范围 268-273
页数 6页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.70.20201905
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磁性隧道结
隧穿磁阻效应
温度效应
偏压效应
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
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1933
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