银纳米线薄膜化学焊接工艺

• 作者: 闫国栋 张晓东 黄林泉 梁雨轩 雷国伟 杨钊 魏葳
• 来源期刊: 包装工程
• 关键词: 透明导电薄膜 银纳米线 薄膜方阻 化学焊接
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 新材料技术|Advanced Materials Technologies
• 页码范围: 115-123
• 页数: 9页
• 分类号: TB484|TG146.3+2
• 语种: 中文
• DOI: 10.19554/j.cnki.1001-3563.2021.09.017

摘要

目的 为解决银纳米线(AgNWs)薄膜应用中存在较高节点电阻的问题,在不改变AgNWs薄膜透过率的条件下,利用卤化盐对AgNWs薄膜进行化学焊接,以降低AgNWs薄膜的表面方阻,并提高AgNWs薄膜的耐弯折性能.方法 通过化学焊接方式对AgNWs薄膜进行改性处理,分析AgNWs薄膜化学焊接工艺的相关参数.如化学焊接试剂的选择,盐浴时间的优化,以及AgNWs墨水添加不同比例的PVA对其薄膜化学焊接效果的影响.结果 研究得到最佳AgNWs薄膜化学焊接工艺,在AgNWs墨水中添加2份PVA,摇匀后涂布成膜,将AgNWs薄膜在质量分数为10％的NaCl溶液中浸泡60 s,用纯水反复清洗3次,每次10 s,之后用氮气吹干.化学焊接后,AgNWs薄膜的方阻下降了35.1％,方阻均匀性为9.0％.结论 AgNWs薄膜经过化学焊接后,薄膜方阻和均匀性得到优化,光学性能保持不变,且外观良好,为其在柔性显示和电磁屏蔽领域应用奠定了技术基础.