晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触反向电流的电压与温度依赖关系

• 作者: 闫大为 吴静 闫晓红 李伟然 俞道欣 曹艳荣 顾晓峰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 反向漏电流 偏压与温度 可导位错 浅能级施主态
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
• 页码范围: 293-299
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20201355

摘要

ln(I/E)-E 1/2 ln(I/E2)-E?1测量了晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触的反向变温电流-电压特性曲线,研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明:1)电流是电压和温度的强函数,饱和电流远大于理论值,无法采用经典热发射模型解释;2)在低偏压区,数据满足线性依赖关系,电流斜率和激活能与Frenkel-Poole模型的理论值接近,表明电流应该为FP机制占主导;3)在高偏压区,数据满足线性依赖关系,电流斜率不随温度改变,表明Fowler-Nordheim隧穿机制占主导;4)反向电流势垒高度约为0.60 eV,远低于热发射势垒高度2.91 eV,表明可导位错应是反向漏电流的主要输运通道,局域势垒由于潜能级施主态电离而被极大降低.