全碳化硅辅助变流器功率回路振荡问题

• 作者: 余宝伟 郭希铮 部旭聪 刘伟志 游小杰
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 关断振荡 谐振电流 解析法 解耦电容
• 年，卷（期）: 2021,（z2）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 619-626
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L90378

摘要

以SiC MOSFET替代传统的Si IGBT,可获得更高的开关频率和更低的损耗,但高di/dt造成SiC MOSFET结电容和寄生电感谐振,从而引发高频振荡和过冲电压等问题.该文在充分考虑系统寄生参数的基础上,对于SiC MOSFET关断振荡建立小信号模型,推导解耦电容对于线路寄生电感完全解耦的条件,并在频域上对高频振荡和低频振荡进行分析.在此基础上,该文针对功率回路存在的低频振荡问题,提出一种低频振荡谐振分析模型,建立阻抗分析网络对低频谐振电流进行计算.最后通过仿真和实验结果验证了关断振荡分析以及谐振电流解析的准确性,并对系统参数设计提供了指导意见.