InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响

• 作者: 宋莉娜 吕燕伍
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二维电子气浓度 界面粗糙度散射 随机偶极散射 极性光学声子散射
• 年，卷（期）: 2021,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质: 电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
• 页码范围: 260-267
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20202223

摘要

本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分析了不同In摩尔组分下,InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明:界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结AlxGa1-xN/InyGa1-yN/GaN的电子输运性质有重要影响,极性光学声子散射对其影响最弱;2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.