1.3 GHz 700 W高效率GaN功率管研发

• 作者: 寇彦雨 王天 宋俊魁
• 来源期刊: 通讯世界
• 关键词: GaN 高效率 预匹配 1.3GHz
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 331-332
• 页数: 2页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4222.2021.04.163

摘要

本文介绍了一种基于GaN HEMT器件结构的1.3 GHz GaN器件设计方法.根据小栅宽管芯模型,在软件设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,在此基础上进行预匹配器件和外电路设计.研制成功的GaN HEMT器件工作频率1.3 GHz,连续波工作,饱和输出功率大于700 W,饱和漏极效率大于75％,带宽10 MHz,功率增益大于18 dB.