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石墨烯/碳化硅异质界面热学特性的分子动力学模拟
石墨烯/碳化硅异质界面热学特性的分子动力学模拟
作者:
刘东静
王韶铭
杨平
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
异质界面
尺寸效应
空位缺陷
界面热导
摘要:
为了调控石墨烯/碳化硅异质界面传热特性,采用非平衡态分子动力学方法研究温度、尺寸、材料缺陷率对界面热导的影响,通过声子态密度和声子参与率对界面热导变化的原因进行阐述分析.研究表明:两种界面作用力下界面热导均随温度升高而增大,但共价键的异质界面热导要高于范德瓦耳斯作用力下的界面热导.异质界面的界面热导随着碳化硅层数的增加而降低,当层数从10层增加到20层时,界面热导下降30.5%;4层时异质结构界面热导最低,分析认为中低频段更多的声子从局域进入离域模式.空位缺陷的引入可以有效地提高界面热导,随着碳化硅和石墨烯缺陷率的增加,界面热导均先升高再降低.300 K时当碳化硅和石墨烯缺陷率分别为20%和35%时界面热导达到最大值,分析认为缺陷的引入会阻碍中频声子的热输运.研究结果揭示可以通过尺寸效应和空位缺陷来进行异质界面的改性研究,有利于第三代半导体微纳器件的设计和热管理.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
石墨烯/碳化硅异质界面热学特性的分子动力学模拟
来源期刊
物理学报
学科
关键词
异质界面
尺寸效应
空位缺陷
界面热导
年,卷(期)
2021,(18)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
研究方向
页码范围
277-286
页数
10页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.7498/aps.70.20210613
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
二级参考文献
(0)
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(0)
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2021(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质界面
尺寸效应
空位缺陷
界面热导
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
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