原子层沉积的超薄InN强化量子点太阳能电池的界面输运

• 作者: 李晔 王茜茜 卫会云 仇鹏 何荧峰 宋祎萌 段彰 申诚涛 彭铭曾 郑新和
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InN 原子层沉积 填充因子 界面输运
• 年，卷（期）: 2021,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
• 页码范围: 321-328
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20210554

摘要

量子点敏化太阳能电池具有重要的潜在应用,但仍存在界面输运、稳定性和效率改善的挑战.本文采用等离子增强原子层沉积技术在低温下(170—230℃)制备了InN,并将其插入至CdSeTe基量子点太阳能电池光阳极的FTO/TiO2界面处,进行了原子层沉积窗口和电池性能改善的物理机理研究.结果表明,引入InN超薄层后的电池效率整体有明显提升,并且促进了电子的输运,填充因子明显增加.同时,加速了电子抽取、转移和分离,降低了电荷复合的可能性.对插入的InN沉积温度和厚度对电池性能的影响进行了深入分析,并对背后的物理机理进行了讨论.