目的:观察半导体激光辅助iRoot BP Plus进行直接盖髓术的临床效果,为活髓保存治疗方案的优化提供参考.方法:选取因深龋露髓的40位患者,随机分为对照组(n=20颗)和实验组(n=20颗).对照组单纯使用iRoot BP Plus进行直接盖髓.实验组激光辅助iRoot BP Plus直接盖髓.治疗后1周、2周、6个月、1年、2年时间随访复查.结果:实验组成功率100%.对照组成功率95%.1周后疼痛评分,实验组疼痛率低于对照组(P<0.05).结论:半导体激光辅助iRoot BP Plus直接盖髓术后疼痛率低于单纯使用iRoot BP Plus的效果.