大功率高集成射频接收前端开关模块设计

• 作者: 陆遥 黄贞松 匡珩 宋艳
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（13）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 114-117
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

本文采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,优化传统射频开关结构电路图和版图设计,通过合理的热设计结合电磁仿真,研制出一种新型的宽带大功率高集成单刀双掷开关.在1.9～4GHz频带内发射通道插入损耗小于0.5dB,接收通道隔离度大于43dB,可通过CW功率120W.PIN和电容芯片均选择国产芯片,确保元器件自主可控.研制出的大功率高集成开关模块大幅减小了一般射频接收前端电路物理尺寸,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计,克服了传统开关无法在当前5G大功率条件下工作的缺陷,实现了插损小,隔离度高,承受功率更大,集成度更高等优势,适用于目前商用5G模式下的通信标准.