基于MOSFET的浪涌防护设计

• 作者: 刘力 刘少龙 杨启帆 李瑞 李文衡
• 来源期刊: 通信电源技术
• 关键词: 电压浪涌 MOSFET 抑制 电源设计
• 年，卷（期）: 2021,（16）
• 所属期刊栏目: 运营探讨|Operation Discussion
• 页码范围: 165-167
• 页数: 3页
• 语种: 中文
• DOI: 10.19399/j.cnki.tpt.2021.16.048

摘要

随着电力电子技术的发展,电压浪涌对精密设备造成的影响也越来越大,传统的电压浪涌抑制方法已难以满足要求.对此提出一种基于MOSFET的浪涌防护设计,简述了其浪涌防护的原理并提供了一种切实可行的电路设计方法.通过对设计的电路进行仿真验证,表明该电路设计对电压浪涌具有快速抑制效果,可以有效避免后级电路遭受电压浪涌的损害,为开关电源设计提供了一种新型的电压浪涌防护方法.