0.18um工艺的低功耗带隙基准源设计

• 作者: 王健 石运栋
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（18）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 194-195
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

目前,随着便携式产品对低压低功耗要求的不断苛刻,如何研究集成电备,如笔记本电脑、手机、PDA、移动电源等等,也对带隙基准电路提出了相应新的需求.本文带隙基准电路包括带隙核心电路,电流偏置电路以及运算放大器,其电流偏置电路所有的MOS管工作状态都处在亚阈值区域.通过设计纳安级偏置电流电路,使其降低所产生的功耗,而且使得整体电路能在1.2V的低电压下正常工作.此外,采用了米勒补偿电路有效改善了电路的温漂系数.本文电路采用SMIC 0.18μm工艺模型,通过仿真结果显示,在1.2V的工作电源电压、环境温度-20～100℃下,实现了带隙基准电压为600mV,温漂系数仅为1.237ppm/°C,在低频100Hz时电源抑制比达到-88.5dB,其产生的功耗仅为67.72uW.