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GaAs工艺0.4~3GHz高线性度低噪声放大器芯片
GaAs工艺0.4~3GHz高线性度低噪声放大器芯片
作者:
吕继平
钟丹
王测天
邬海峰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
摘要:
5G通信系统具有更高的信息传输容量和速度,因此具有广阔的市场应用前景.但是由于5G通信系统采用了部分sub-6GHz以下的通信频段,导致频段利用更加拥挤,采用合理的通信系统和传输协议是高效利用频谱资源的关键.为了高效地利用有限的频谱资源,需要显著提高通信系统的线性度和动态范围等指标.作为5G通信系统中射频前端的关键器件,低噪声放大器位于天线之后,是接收系统中的第一个有源器件,因此其噪声系数决定着整个系统的噪声优劣,其增益将决定对后级电路的噪声抑制程度,其线性度对整个系统的动态范围产生重要的影响.然而,当前传统射频与微波低噪声放大器芯片设计中,一直存在一些设计难题,主要体现在:低功耗、高增益、低噪声放大指标相互制约以及低功耗和高线性度指标相互制约.目前,国内外对宽带低噪声放大器暂不具备放大器关断(Power down-PD)功能,无法满足TDD系统的特殊需求.
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篇名
GaAs工艺0.4~3GHz高线性度低噪声放大器芯片
来源期刊
电子世界
学科
关键词
年,卷(期)
2021,(21)
所属期刊栏目
技术交流
研究方向
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166-167
页数
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电子世界
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
半月刊
ISSN:
1003-0522
CN:
11-2086/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市
邮发代号:
2-892
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
36164
总下载数(次)
96
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