掩模板法制备单根In2O3纳米带器件

• 作者: 艾鹏 蔡彦 杜国芳 马殿旭 李旋 李波
• 来源期刊: 科学技术创新
• 学科: 物理学
• 关键词: 掩模板法 In2O3纳米带 单根纳米带器件
• 年，卷（期）: 2021,（23）
• 所属期刊栏目: 创新创业论坛
• 页码范围: 189-190
• 页数: 2页
• 分类号: O48
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2021.23.087

摘要

一维纳米材料的智能化、小型化以及元件的高集成特性使得其在纳米光电子学、真空微电子传感器件和光集成电路等方面的应用发展迅速;其独特的物理、化学性质在发光二极管、压电转换器件和光催化纳米器件等领域的应用潜力也受到了广泛关注.本文首先通过碳热还原的方法制备一维的氧化铟纳米带,再通过掩模板构建基于单根纳米带的纳米器件,并测试了其欧姆特性.