基于密度泛函理论的外电场下C4F7N微观特性的研究

• 作者: 梅益明
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: C4F7N分子 外电场 密度泛函 分子稳定性
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 62-66
• 页数: 4页
• 分类号: TM213
• 语种: 中文
• DOI: 10.16786/j.cnki.1671-8887.eem.2022.04.016

摘要

为了从分子层面上揭示全氟异丁腈在外电场作用下微观特性的变化情况，采用密度泛函理论中的M06-2X方法，在6-31G(d)基组水平上优化得到了C4F7N的基态稳定构型。分析了不同外电场(0～0.020a.u.)对C4F7N分子的结构、稳态总能量、偶极矩、键级的影响。结果表明：在所加电场范围内，随着电场强度的增大，C4F7N分子总能量减小，偶极矩升高，分子极性变大；C4F7N分子中的C-C键的MBO值随电场强度的变化均出现增大的情况，表明C4F7N分子主链结构发生改变，分子的稳定性降低；对C4F7N分子键角的分析可知，全氟异丁腈在外电场下产生取向效果，空间结构出现显著变化，力学性能降低；对C4F7N分子键级的分析可知，随外电场强度的增加，C4F7N分子的反应活性增高、稳定性降低。