氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展

• 作者: 罗付 牛新环 张银婵 朱烨博 侯子阳 屈明慧 闫晗
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) 化学机械抛光(CMP) 抛光液 抛光液组分 抛光机理
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望|Trends and Outlook
• 页码范围: 81-86,133
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2|TQ421.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.02.001

摘要

氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用.对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾.主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点.最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望.