"双碳"目标下三代半导体的发展分析

• 作者: 许景通 王二超 常青松 徐达 袁彪 史光华
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双碳 第三代半导体 高效
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 综述|TECHNICAL REVIEW
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2022.01.002

摘要

第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能,是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料.通过大力发展第三代半导体,尤其是目前大量应用的碳化硅和氮化镓,以及探索新一代半导体材料,对支撑碳达峰、碳中和意义重大.