发展宽禁带半导体不能只拿来不创新

• 来源期刊: 张江科技评论
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 观点
• 页码范围: 5
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• 语种: 中文

摘要

宽禁带半导体(又称第三代半导体)器件和材料产业已在国内外开始部署.近年来,迅速发展起来的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的"核芯",在半导体照明、新一代移动通信、智能电网等领域具有广阔的应用前景,有望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料.中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃介绍,宽禁带半导体最明显的特征是它的半导体禁带宽度宽,在材料的性质方面更接近绝缘体.因此,以氮化镓和碳化硅为代表的这类宽禁带半导体材料拥有击穿电场强度高、工作温度高、器件导通电阻低、电子密度高等优势.目前,宽禁带半导体主要在3个领域有强大的市场竞争力.