不同电极结构下SF6气体临界击穿场强计算

• 作者: 李晓蔚 杭玉桦 刘韬 朱斌 赵玮玉
• 来源期刊: 高压电器
• 关键词: SF6 气体绝缘开关 临界击穿场强 阶段先导发展模型
• 年，卷（期）: 2022,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 107-114
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13296/j.1001⁃1609.hva.2022.03.015

摘要

SF6气体在电力绝缘设备中的应用已经非常广泛，计算多种电极结构下SF6气体临界击穿场强对于研究SF6气体放电击穿特性具有重要意义。文中针对SF6气体在多种电极结构下的放电击穿过程开展了详细的理论研究与计算分析。首先，基于已有的SF6气体击穿过程进行理论总结并加以完善；然后，引入阶段先导发展模型，针对稍不均匀电场条件下SF6气体放电击穿过程进行建模，将放电击穿分为3个主要过程：首电子产生阶段、流注初始阶段及先导发展至击穿阶段；最后，结合气体物性参数建立多种电极结构下SF6气体折合临界击穿场强计算综合模型，计算得到SF6气体在多种电极结构下的临界击穿场强。研究表明：相同压强情况下，交流电压下的临界击穿场强要比雷电冲击电压下的折合临界击穿场强低。雷电冲击电压下临界击穿场强极性随电极结构和压强条件的变化而改变。并且，受电极曲率较大处局部放电所产生空间电荷的影响，随着压强的增大和突出物尖端的加长，正极性雷电冲击电压下的临界击穿场强趋向施加交流电压下的临界击穿场强。