基于压电力显微镜的铌酸锂电畴稳定性研究

• 作者: 何锦龙 穆继亮 耿文平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂(LiNbO3) 铁电材料 电畴 压电力显微镜(PFM) 极化
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与器件|Semiconductor Materials and Devices
• 页码范围: 100-104
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.9|TM225
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.02.004

摘要

研究了Z切700 nm厚的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜电畴的调控方法.利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对单晶LiNbO3薄膜的晶向和形貌进行了表征,并通过外加电场对单晶LiNbO3薄膜电畴进行调控.研究结果表明,该LiNbO3薄膜具有单一的(006)衍射峰,表面光滑、粗糙度低(均方根粗糙度小于1 nm).通过外加电场和预设电畴图案对LiNbO3电畴进行精准调控,并测试了电畴稳定性.测试结果显示,调控后的电畴在温度为25～150℃内处于稳定状态,且在30 d内保持稳定,未发生弛豫现象.该研究为LiNbO3电畴工程器件的研发和应用提供了重要的技术支撑.