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摘要:
阐述基于110nm工艺设计了一个应用于GPS波段的单片的低噪声放大器,该低噪声放大器采用了片外匹配电感从而降低芯片内部的面积,同时使用了平面螺旋电感作为负载电感,通过设计与仿真,该低噪声放大器在1.575GHz时,工作电流为6.6mA,增益为19.1dB,噪声系数为0.82dB,输入匹配与输出匹配均大于-10dBm,P1dB为-12dBm.
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文献信息
篇名 基于GPS频段的单芯片低噪声放大器设计
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 集成电路设计 低噪声放大器 GPS 噪声系数 增益
年,卷(期) 2022,(2) 所属期刊栏目 研究与设计|Research and Design
研究方向 页码范围 10-12
页数 3页 分类号 TN72|TN402|T
字数 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2022.02.004
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路设计
低噪声放大器
GPS
噪声系数
增益
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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