光纤基底TiNi形状记忆合金薄膜制备工艺

• 作者: 党俊坡 江秀娟 唐振华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 光纤 TiNi薄膜 磁控溅射 工艺参数
• 年，卷（期）: 2022,（3）
• 所属期刊栏目: 总论|GENERAL
• 页码范围: 72-81
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.71.20211437

摘要

将TiNi基记忆合金薄膜与光纤相结合可制成智能化、集成化且成本经济的微机电系统和微传感器件.本文采用磁控溅射法在二氧化硅光纤基底上制备TiNi记忆合金薄膜,系统讨论了溅射工艺参数以及后续退火处理对薄膜质量的影响.采用自研制光纤镀膜掩膜装置在直径为125μm的光纤圆周表面上形成均匀薄膜.实验表明:在靶基距、背底真空度、Ar气流量和溅射时间一定的条件下,溅射功率存在最佳值;溅射压强较大时,薄膜沉积速率较低,但薄膜表面粗糙度较小.进行退火处理后,薄膜形成较良好的晶体结构,Ti49.09Ni50.91薄膜中马氏体B19′相和奥氏体B2相共存,但以B19′为主.根据本文研究结果,在玻璃光纤基底上制备高质量的TiNi基记忆合金薄膜是可实现的,本工作为下一步研制微机电系统和微型传感器做了基础准备.