一种S波段新型的模拟预失真电路

• 作者: 卢玉龙
• 来源期刊: 无线通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟预失真 场效应晶体管 肖特基二极管 幅度扩张 相位扩张
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN92
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8329.2022.01.010

摘要

传统的并联肖特基二极管(Schottky diode,SD)对的模拟预失真(analog predistortion,APD)电路,其可调性不高,产生的非线性信号有限.为了解决上述问题,基于传统的并联肖特基二极管(Schottky diode)对的基础上,提出了 一种共源级场效应晶体管(field effect transistor,FET)和并联肖特基二极管对串联结构的新型模拟预失真电路.该模拟预失真电路可调参数多,产生的非线性信号更强.通过改变场效应晶体管的偏置电压、肖特基二极管对的偏置电压、无源传输线的电长度得到不同的幅度和相位曲线,从而使整个预失真网路具有更好的适应性.实验结果表明,在3.5GHz时,所设计的模拟预失真电路能够实现5dB的幅度扩张和接近50度的相位扩张.