氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展

• 作者: 向茂乔 耿玉琦 朱庆山
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 氮化硅 粉体技术 碳热氮化法 硅粉直接氮化法 化学气相沉积法 硅胺前体转化法 合成机理
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 综述与专论
• 页码范围: 73-84
• 页数: 11页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/0438-1157.20210866

摘要

氮化硅(Si3N4)具有优异的物化性能，在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位。高质量粉体是制备高性能Si3N4陶瓷的首要前提。通常高质量Si3N4粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件。基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si3N4粉体的方法，着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展，并介绍了当前工业生产现状，展望了高质量Si3N4粉体制备技术的发展趋势和方向。