低损耗高集成度氮化硅阵列波导光栅波分(解)复用器

• 作者: 冯俊波 李智慧 梁宇鑫 杨忠华 赵恒 崔乃迪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光波导 低损耗 低压化学气相沉积(LPCVD) 氮化硅 阵列波导光栅(AWG)
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体材料与器件|Semiconductor Materials and Devices
• 页码范围: 19-24
• 页数: 6页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.003

摘要

氮化硅平台阵列波导光栅(AWG)波分(解)复用器具有损耗低、集成度高、温度敏感性低等优势.基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)的氮化硅集成光子工艺平台,从波导传输损耗、阵列波导与平板波导模式转换损耗、截断损耗、泄漏损耗等方面对氮化硅基AWG波光(解)复用器插入损耗进行了优化,并采用标准CMOS工艺完成低损耗C波段AWG密集波分(解)复用器制备.该氮化硅基AWG密集波分(解)复用器输出通道数为16,输出通道频率间隔200 GHz.测试结果表明,该AWG波分(解)复用器的平均插入损耗为2.34 dB,1 dB带宽为0.44 nm,3 dB带宽为0.76 nm,串扰约为-28 dB.芯片尺寸为850μm×1700 μm,较平面光波导(PLC)基AWG大大减小.