抛光液中各组分对Co CMP性能的影响

• 作者: 冯子璇 崔浩祥 杨程辉 孙晓琴 牛新环
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 钴(Co) 去除速率 表面粗糙度 抛光液
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制备技术|Semiconductor Fabricating Technology
• 页码范围: 37-41,76
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.006

摘要

钴(Co)的化学机械抛光(CMP)要求有较高的去除速率(大于100 nm/min)和洁净平整的表面.采用新型弱碱性抛光液,研究不同成分(如过氧化氢(H2O2)、1,2,4-三氮唑(TAZ)、异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE))对Co CMP性能的影响.结果 表明,抛光液中H2O2体积分数为0.4％、pH值为8、甘氨酸(GLY)浓度为0.266 mol/L时,Co的去除速率最大,为763.53 nm/min.为了缓解Co表面的化学腐蚀,加入0.022 mol/L的TAZ作为抑制剂和体积分数为1.3％的JFCE作为表面活性剂后,Co的去除速率得到有效抑制,为489.74 nm/min.对抛光前后的Co表面进行原子力显微镜(AFM)测试,结果表明,Co表面湿润性增加,表面粗糙度明显下降.研究结果对Co布线的工业应用具有一定的指导意义.