薄膜线条宽度对坡莫合金AMR性能的影响

• 作者: 余涛 杨黎 岑杉杉
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 坡莫合金 线条宽度 AMR 饱和磁感应强度
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 研究动态|Research & Development
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2022.02.002

摘要

利用半导体标准工艺,在8英寸工艺平台上,通过光刻和剥离工艺制备出不同线条宽度的坡莫合金材料Ta(5 nm)/NiFe(12 nm)/Ta(2 nm),然后再进行表面钝化、电极引出和TO-94封装以后进行测试.测试结果表明:在常温条件下,不同薄膜线宽对材料AMR值影响不大,而对薄膜材料的饱和磁感应强度影响巨大.当线宽从18μm增大到30μm时,薄膜材料的AMR测试曲线在1.2％处的宽度ΔH从6,565.408 A/m减小到2,025.024 A/m.