SnO2缓冲层对VO2薄膜微观结构与相变性能的影响

• 作者: 马紫腾 刘哲 莫敏静 郭佳成 刘雍 魏长伟 何春清
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 缓冲层 氧化钒 金属-绝缘体相变 二氧化锡
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 132-136
• 页数: 5页
• 分类号: TB383.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021112401

摘要

利用电子束蒸发法在Si衬底上制备了不同厚度的SnO2缓冲层,并使用磁控溅射法制备出上层氧化钒薄膜,研究了 SnO2缓冲层厚度对于氧化钒薄膜微观结构、相组成以及相变性能的影响.结果表明,引入具有四方金红石结构的SnO2缓冲层后,上层氧化钒薄膜的结晶性变好,随着SnO2缓冲层厚度的增加,沉积的氧化钒薄膜中V4+含量逐渐提高,氧化钒薄膜的平均晶粒尺寸增大,成膜质量变好;相变锐度有所降低,热滞回线宽度减小.这些结果表示SnO2缓冲层的引入有利于在硅衬底上生长高质量且相变性能优越的VO2薄膜.