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摘要:
首先从吸附能的角度论述了苯并三唑(BTA)在铜上的吸附类型以及成膜过程,然后综述了关于铜化学机械抛光(CMP)后清洗中去除残留BTA的研究进展,最后对新型缓蚀剂的出现以及在集成电路制造中应用的缓蚀剂的未来研究方向进行了概述.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 IC铜布线抛光及后清洗中缓蚀剂BTA吸附及去除的研究进展
来源期刊 电镀与涂饰 学科 工学
关键词 化学机械抛光 苯并三唑 吸附等温线 配合物 缓蚀剂 清洗 综述
年,卷(期) 2022,(3) 所属期刊栏目 电子技术|Electronic Technology
研究方向 页码范围 203-210
页数 8页 分类号 TG175
字数 语种 中文
DOI 10.19289/j.1004-227x.2022.03.010
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
化学机械抛光
苯并三唑
吸附等温线
配合物
缓蚀剂
清洗
综述
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电镀与涂饰
半月刊
1004-227X
44-1237/TS
大16开
广州市科学城科研路6号
46-155
1982
chi
出版文献量(篇)
5196
总下载数(次)
23
总被引数(次)
23564
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导