多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析

• 作者: 王宇龙 王明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入式非易失性存储器(eNVM) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 封装、检测与设备|Packaging, Testing and Equipment
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.012

摘要

基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM).详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素.测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能.经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性.通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能.