InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面特性的表征分析

• 作者: 任洋 覃钢 李俊斌 杨晋 李艳辉 杨春章 孔金丞
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 InSb-like界面 GaAs-like界面 陡峭性
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件|MATERIALS & DEVICES
• 页码范围: 115-122
• 页数: 8页
• 分类号: TN215|TN304
• 语种: 中文

摘要

本文系统地介绍了国内外研究机构对超晶格界面进行研究时采用的测试分析手段.其中,通过拉曼光谱、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、扫描隧道显微镜(STM)、二次离子质谱(SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等测试方法可以对InAs/GaSbⅡ类超晶格材料界面类型、界面粗糙度、陡峭性等特性进行测试分析,从而评估超晶格界面质量.光致发光谱(PL谱)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)、霍尔测试、吸收光谱等测试方法则可以研究超晶格界面质量对超晶格材料能带、晶体质量、光学性质的影响.