As注入长波碲镉汞红外探测器工艺研究

• 作者: 熊伯俊 李立华 杨超伟 李雄军 赵鹏 万志远
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: As注入掺杂 p-on-n 退火激活 碲镉汞 SIMS
• 年，卷（期）: 2022,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件|MATERIALS & DEVICES
• 页码范围: 129-133
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

p-on-n结构的碲镉汞红外探测器具有长的少子寿命、低暗电流、高R0A值等优点,是高温器件、长波甚长波器件发展的重要器件结构.而国内还鲜有砷注入掺杂p-on-n长波HgCdTe探测器的相关报道,为了满足军事、航天等领域对高性能长波探测器迫切的应用需求,针对As离子注入的长波p-on-n碲镉汞红外探测器退火工艺技术进行研究.采用二次离子质谱(SIMS)仪分析注入及退火后As离子浓度分布情况,使用半导体参数测试仪表征pn结的I-V特性.研究结果表明,在富汞0.5 h 430℃+20 h 240℃条件下,实现As激活,成功制备As注入长波15μm 640×512的p-on-n碲镉汞红外焦平面器件,器件有效像元率大于99.7％.该研究对长波甚长波碲镉汞p-on-n焦平面器件的制备具有重要意义.