大尺寸高分辨率TFT-LCD垂直串扰的机理研究与改善

• 作者: 盛子沫 高玉杰 刘信 冯俊 朱宁 陈晓晓 郭会斌 江鹏
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直串扰 薄膜晶体管关态电流 耦合电容
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 显示技术与应用|Display Technology and Applications
• 页码范围: 37-44
• 页数: 8页
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJLCD.2021-0254

摘要

随着生活质量的提升,大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐.然而,高规格产品同时也会伴随更多的显示问题,垂直串扰就是其中一种.垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移.高分辨率8K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大,导致其垂直串扰现象严重.本文通过软件模拟了Cpd的影响因子,再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度,同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件,最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积.在所有最优工艺条件下,不良比率由最初的55.6％下降至4.2％,画质大幅改善.