单层硅烯表面的CoPc分子吸附研究

• 作者: 陈建 熊康林 冯加贵
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅烯 电子结构 分子吸附 对称性破缺
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 总论|GENERAL
• 页码范围: 8-14
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.71.20211607

摘要

由于低维材料表面上的单原子和分子具有丰富的物理化学性质,现已经成为量子器件及催化科学等领域的研究热点.单层硅烯在不同的衬底制备温度下,表现出丰富的超结构,这些超结构为实现有序的单原子或分子吸附提供了可靠的模板.利用原位硅烯薄膜制备,分子沉积,超高真空扫描隧道显微镜以及扫描隧道谱,本文研究了Ag(111)衬底上3种硅烯超结构((4×4),(√13× √3),(2√3×2√3))的电子态结构,表面功函数随超结构的变化,以及CoPc分子在这3种超结构硅烯上的吸附行为.研究结果表明,这3种超结构的硅烯具有类似的电子能带结构,且存在电子从Ag(111)衬底转移到硅烯上的可能性,从而导致硅烯的表面功函数增大,表面功函数在原子级尺度上的变化对分子的选择性吸附起着重要作用.此外,还观察到分子与硅烯的相互作用导致CoPc分子的电子结构发生对称性破缺.