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改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析
改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析
作者:
张晓博
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硅外延片
一致性
电阻率
摘要:
阐述硅外延片在电阻率和厚度一致性的问题,改善其一致性外延片的制备方法,包括装入衬底片、衬底气相抛光、变流量吹扫、本征生长、外延生长的工艺流程和工艺参数.
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文献信息
篇名
改善硅外延片电阻率和厚度一致性分析
来源期刊
集成电路应用
学科
工学
关键词
硅外延片
一致性
电阻率
年,卷(期)
2022,(1)
所属期刊栏目
工艺与制造|Process and Fabrication
研究方向
页码范围
54-55
页数
2页
分类号
TN304.054|TN405
字数
语种
中文
DOI
10.19339/j.issn.1674-2583.2022.01.017
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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2022(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
硅外延片
一致性
电阻率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
主办单位:
上海贝岭股份有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-2583
CN:
31-1325/TN
开本:
16开
出版地:
上海宜山路810号
邮发代号:
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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